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FDC8878
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FDC8878技术资料
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FDC8878
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
原厂封装:
SuperSOT-6
优势价格,FDC8878的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDC8878的技术资料下载
FDC8878的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDC8878
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:PowerTrench
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):8A(Ta),8A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):16 毫欧 @ 8A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1040pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:SuperSOT-6
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