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FDC636P
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FDC636P技术资料
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FDC636P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
原厂封装:
SuperSOT?-6
优势价格,FDC636P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDC636P的技术资料下载
FDC636P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDC636P
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):2.8A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):130 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±8V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):390pF @ 10V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:SuperSOT?-6
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