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FDC6312P的图片

FDC6312P

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6

原厂封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

优势价格，FDC6312P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDC6312P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：FDC6312P

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：PowerTrench?

零件状态：有源

FET类型：2 个 P 沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：2.3A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：115 毫欧 @ 2.3A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：467pF @ 10V

功率-最大值：700mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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