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    FDB1D7N10CL7的图片

    FDB1D7N10CL7

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
    原厂封装：D2PAK（TO-263）
    优势价格，FDB1D7N10CL7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FDB1D7N10CL7的技术资料下载
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    FDB1D7N10CL7的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDB1D7N10CL7
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：PowerTrench?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：268A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，15V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.65 毫欧 @ 100A，15V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 700μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：163nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11600pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：D2PAK（TO-263）
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