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FCPF165N65S3L1
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FCPF165N65S3L1价格
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FCPF165N65S3L1技术资料
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FCPF165N65S3L1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
原厂封装：
TO-220F-3
优势价格，FCPF165N65S3L1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FCPF165N65S3L1的技术资料下载
FCPF165N65S3L1的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FCPF165N65S3L1
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：SuperFET? III
零件状态：最後搶購
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650V
25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：165 毫欧 @ 9.5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.9mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1415pF @ 400V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：35W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C
安装类型：通孔
器件封装：TO-220F-3
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