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FAM65HR51DS2
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FAM65HR51DS2
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT MODULE 650V 33A 135W
原厂封装:
-
优势价格,FAM65HR51DS2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FAM65HR51DS2的技术资料下载
FAM65HR51DS2的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FAM65HR51DS2
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT MODULE 650V 33A 135W
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:有源
IGBT类型:-
配置:半桥逆变器
电压-集射极击穿(最大值):650V
电流-集电极(Ic)(最大值):33A
功率-最大值:135W
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):-
电流-集电极截止(最大值):-
不同?Vce时输入电容(Cies):4.86nF @ 400V
输入:标准
NTC热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:-
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