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EMT1DXV6T1G
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EMT1DXV6T1G技术资料
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EMT1DXV6T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
原厂封装:
SOT-563,SOT-666
优势价格,EMT1DXV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
EMT1DXV6T1G的技术资料下载
EMT1DXV6T1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:EMT1DXV6T1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
零件状态:有源
晶体管类型:2 PNP(双)
电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
电压-集射极击穿(最大值):60V
不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):500mV @ 5mA,50mA
电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V
功率-最大值:500mW
频率-跃迁:140MHz
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:SOT-563,SOT-666
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