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EFC6612R-TF的图片

EFC6612R-TF

FET - 阵列

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

原厂封装：6-SMD，无引线

优势价格，EFC6612R-TF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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EFC6612R-TF的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号: EFC6612R-TF

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

系列: -

FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: -

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: -

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: -

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 27nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -

功率 - 最大值: 2.5W

安装类型: 表面贴装

ON安森美封装: 6-SMD，无引线

器件封装: 6-CSP

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