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EFC4626R-TR
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EFC4626R-TR技术资料
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EFC4626R-TR
FET - 阵列
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4
原厂封装:
4-XFBGA
优势价格,EFC4626R-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
EFC4626R-TR的技术资料下载
EFC4626R-TR的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: EFC4626R-TR
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4
系列: -
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss): -
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -
功率 - 最大值: 1.4W
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: 4-XFBGA
器件封装: -
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