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EFC3J018NUZTDG

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP

原厂封装：6-XFBGA，WLCSP

优势价格，EFC3J018NUZTDG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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EFC3J018NUZTDG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：EFC3J018NUZTDG

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）共漏

FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：23A（Ta）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 5A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：75nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：2.5W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：6-XFBGA，WLCSP

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