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EFC3J018NUZTDG

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
原厂封装：6-XFBGA，WLCSP
优势价格，EFC3J018NUZTDG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EFC3J018NUZTDG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：EFC3J018NUZTDG
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：23A（Ta）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 5A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：75nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：2.5W（Ta）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-XFBGA，WLCSP
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