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EFC2K102NUZTDG

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V

原厂封装：表面贴装型

优势价格，EFC2K102NUZTDG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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EFC2K102NUZTDG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：EFC2K102NUZTDG

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：卷带（TR）

零件状态：-

FET类型：有源

FET功能：2 N 沟道（双）共漏

漏源电压（Vdss）：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

25°C时电流-连续漏极(Id)：12V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：33A（Ta）

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.65 毫欧 @ 5A，4.5V

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.3V @ 1mA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：42nC @ 3.8V

功率-最大值：-

工作温度：3.1W（Ta）

安装类型：150°C（TJ）

封装：表面贴装型

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