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ECH8620-TL-E的图片

ECH8620-TL-E

FET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8

原厂封装：8-SMD

优势价格，ECH8620-TL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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ECH8620-TL-E的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号: ECH8620-TL-E

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

功能总体简述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8

系列: -

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A，1.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 260 毫欧 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 13.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 650pF @ 20V

功率 - 最大值: 1.3W

安装类型: 表面贴装

产品封装: 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装: 8-ECH

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