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ECH8601M-TL-H-P的图片

ECH8601M-TL-H-P

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET 2N-CH

原厂封装：8-SMD，扁平引线

优势价格，ECH8601M-TL-H-P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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ECH8601M-TL-H-P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：ECH8601M-TL-H-P

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET 2N-CH

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：2 N 沟道（双）共漏

FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）：24V

25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 4A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.5nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：-

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-SMD，扁平引线

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