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ECH8309-TL-H

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH

原厂封装：8-ECH

优势价格，ECH8309-TL-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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ECH8309-TL-H的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：ECH8309-TL-H

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：12V

25°C时电流-连续漏极(Id)：9.5A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 4.5A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1780pF @ 6V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-ECH

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