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EC4406C-TL-H的图片

EC4406C-TL-H

FET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4

原厂封装：4-UFDFN

优势价格，EC4406C-TL-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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EC4406C-TL-H的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号: EC4406C-TL-H

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 200mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2.9 欧姆 @ 100mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 26pF @ 20V

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装

产品封装: 4-UFDFN

供应商器件封装: 4-ECSP1008

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晶

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F

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逻辑 - 栅极和逆变器

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晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

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