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AFGHL50T65SQDC
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AFGHL50T65SQDC价格
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AFGHL50T65SQDC技术资料
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AFGHL50T65SQDC
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 650V A
原厂封装：
TO-247-3 变式
优势价格，AFGHL50T65SQDC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
AFGHL50T65SQDC的技术资料下载
AFGHL50T65SQDC的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：AFGHL50T65SQDC
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 650V A
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：有源
IGBT类型：场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：100A
电流-集电极脉冲(Icm)：200A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
功率-最大值：238W
开关能量：131μJ（开），96μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：94nC
25°C时Td（开/关）值：17.6ns/94.4ns
测试条件：400V，12.5A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3 变式
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