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AFGB40T65SQDN的图片

AFGB40T65SQDN

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：650V/40A FS4 IGBT TO263 A

原厂封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

优势价格，AFGB40T65SQDN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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AFGB40T65SQDN的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：AFGB40T65SQDN

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：650V/40A FS4 IGBT TO263 A

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：Automotive, AEC-Q101

零件状态：有源

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：80A

电流-集电极脉冲(Icm)：160A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，40A

功率-最大值：238W

开关能量：858μJ（开），229μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：76nC

25°C时Td（开/关）值：17.6ns/75.2ns

测试条件：400V，40A，6 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：131ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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