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5LN01C-TB-H

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

原厂封装：3-CP

优势价格，5LN01C-TB-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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5LN01C-TB-H的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：5LN01C-TB-H

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：50V

25°C时电流-连续漏极(Id)：100mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.8 欧姆 @ 50mA，4V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.57nC @ 10V

Vgs（最大值）：±10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6.6pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：250mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：3-CP

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