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5HN01M-TL-E的图片

5HN01M-TL-E

FET - 单

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3

原厂封装：SC-70，SOT-323

优势价格，5HN01M-TL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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5HN01M-TL-E的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号: 5HN01M-TL-E

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 7.5 欧姆 @ 50mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 6.2pF @ 10V

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装

ON安森美封装: SC-70，SOT-323

器件封装: 3-MCP

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