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3LP01C-TB-H
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3LP01C-TB-H技术资料
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3LP01C-TB-H
单端场效应管
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET P-CH 30V 100MA CP
原厂封装:
3-CP
优势价格,3LP01C-TB-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
3LP01C-TB-H的技术资料下载
3LP01C-TB-H的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:3LP01C-TB-H
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 30V 100MA CP
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10.4 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7.5pF @ 10V
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
器件封装:3-CP
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