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2SK536-TB-E的图片

2SK536-TB-E

FET - 单

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

原厂封装：TO-236-3

优势价格，2SK536-TB-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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2SK536-TB-E的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号: 2SK536-TB-E

制造厂家名称: SANYO Semiconductor（已被安森美收购）

功能总体简述: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 20 欧姆 @ 10mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 15pF @ 10V

功率 - 最大值: 200mW

安装类型: 表面贴装

ON安森美封装: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

器件封装: 3-CP

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F

2SK536-TB-E

单

2SK536-TB-E

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MC74HC4052ADTG

二极管TVS

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MM3Z3V3T1

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