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2SK3666-2-TB-E的图片

2SK3666-2-TB-E

晶体管 - JFET

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：JFET NCH 30V 200MW 3CP

原厂封装：-

优势价格，2SK3666-2-TB-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

2SK3666-2-TB-E的技术资料下载

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2SK3666-2-TB-E的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：2SK3666-2-TB-E

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：JFET NCH 30V 200MW 3CP

系列：晶体管 - JFET

零件状态：停产

FET类型：-

电压-击穿(V(BR)GSS)：-

漏源电压（Vdss）：-

不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss)：-

漏极电流(Id)-最大值：-

不同Id时电压-截止(VGSoff)：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

电阻-RDS(On)：-

功率-最大值：-

工作温度：-

安装类型：-

封装：-

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晶

2SK3666-4-TB-E

晶

2SK3666-3-TB-E

逻辑 - 触发器

74ACQ574PC

逻辑 - 移位寄存器

74VHC164SJ

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

FDB86363-F085

逻辑 - 移位寄存器

MC14021BCPG

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