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2SJ683-TL-E
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2SJ683-TL-E技术资料
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2SJ683-TL-E
FET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET P-CH 60V 65A ZP
原厂封装:
3-SMD
优势价格,2SJ683-TL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
2SJ683-TL-E的技术资料下载
2SJ683-TL-E的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号: 2SJ683-TL-E
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
功能总体简述: MOSFET P-CH 60V 65A ZP
系列: -
FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 65A(Ta)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 10.5 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 290nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 15500pF @ 20V
功率 - 最大值: 50W
安装类型: 表面贴装
产品封装: 3-SMD,扁平引线
供应商器件封装: ZP
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