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2SJ661-DL-E的图片

2SJ661-DL-E

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD

原厂封装：SMP-FD

优势价格，2SJ661-DL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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2SJ661-DL-E的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：2SJ661-DL-E

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：38A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：39 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4360pF @ 20V

功率 - 最大值：1.65W

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

器件封装：SMP-FD

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