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2SJ655
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2SJ655技术资料
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2SJ655
FET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,2SJ655的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
2SJ655的技术资料下载
2SJ655的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号: 2SJ655
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML
系列: -
FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 12A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 136 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2090pF @ 20V
功率 - 最大值: 2W
安装类型: 通孔
产品封装: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220ML
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