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2SJ650
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2SJ650技术资料
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2SJ650
FET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML
原厂封装：
TO-220-3
优势价格，2SJ650的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
2SJ650的技术资料下载
2SJ650的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号: 2SJ650
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
功能总体简述: MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML
系列: -
FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 135 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1020pF @ 20V
功率 - 最大值: 2W
安装类型: 通孔
产品封装: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220ML
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2SJ656
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