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1PMT5921BT1G
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1PMT5921BT1G技术资料
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1PMT5921BT1G
二极管 - 齐纳 - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
DIODE ZENER 6.8V 3.2W POWERMITE
原厂封装:
DO-216AA
优势价格,1PMT5921BT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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1PMT5921BT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:1PMT5921BT1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:DIODE ZENER 6.8V 3.2W POWERMITE
系列:二极管 - 齐纳 - 单
零件状态:有源
电压-齐纳(标称值)(Vz):6.8V
容差:±5%
功率-最大值:3.2W
阻抗(最大值)(Zzt):2.5 Ohms
不同Vr时电流-反向泄漏:5A @ 5.2V
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 200mA
工作温度:-55°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装:DO-216AA
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