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NTMD6N03R2G的图片

NTMD6N03R2G

ON图标
场效应管阵列
制造厂商:安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
原厂封装:8-SOIC
优势价格,NTMD6N03R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NTMD6N03R2G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
  • ON安森美标准型号:NTMD6N03R2G
  • 制造厂家名称:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  • 系列:-
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):32 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):950pF @ 24V
  • 功率 - 最大值:1.29W
  • 安装类型:表面贴装
  • ON安森美封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 器件封装:8-SOIC N
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