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NSVEMT1DXV6T5G的图片

NSVEMT1DXV6T5G

ON图标
晶体管(BJT) - 阵列
制造厂商:安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
原厂封装:*
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NSVEMT1DXV6T5G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
  • ON安森美标准型号: NSVEMT1DXV6T5G
  • 制造厂家名称: ON Semiconductor
  • 功能总体简述: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
  • 系列: -
  • 晶体管类型: 2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 60V
  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 500mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 500pA(ICBO)
  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 120 @ 1mA,6V
  • 功率 - 最大值: 500mW
  • 频率 - 跃迁: 140MHz
  • 安装类型: *
  • ON安森美封装: *
  • 器件封装: *
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